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1.
Controlled Growth of Submillimeter-Scale Cr5Te8 Nanosheets and the Domain Wall Nucleation Governed Magnetization Reversal Process.
Nano Lett
; 24(4): 1246-1253, 2024 Jan 31.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38198620
2.
Controlled Growth and Size-Dependent Magnetic Domain States of 2D γ-Fe2O3.
Nano Lett
; 23(22): 10498-10504, 2023 Nov 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37939014
3.
Discovery of Robust Ferroelectricity in 2D Defective Semiconductor α-Ga2 Se3.
Small
; 18(8): e2105599, 2022 Feb.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34881497
4.
Integrated In-Memory Sensor and Computing of Artificial Vision Based on Full-vdW Optoelectronic Ferroelectric Field-Effect Transistor.
Adv Sci (Weinh)
; 11(3): e2305679, 2024 Jan.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38029338
5.
Intrinsically elastic polymer ferroelectric by precise slight cross-linking.
Science
; 381(6657): 540-544, 2023 Aug 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37535722
6.
Nanoscale Magnetization Reversal by Magnetoelectric Coupling Effect in Ga0.6Fe1.4O3 Multiferroic Thin Films.
ACS Appl Mater Interfaces
; 13(15): 18194-18201, 2021 Apr 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33739107
7.
Layer-dependent ferroelectricity in 2H-stacked few-layer α-In2Se3.
Mater Horiz
; 8(5): 1472-1480, 2021 May 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34846455
8.
An Oxide Schottky Junction Artificial Optoelectronic Synapse.
ACS Nano
; 13(2): 2634-2642, 2019 02 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30730696
9.
Redox gated polymer memristive processing memory unit.
Nat Commun
; 10(1): 736, 2019 02 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30760719
10.
Improving Unipolar Resistive Switching Uniformity with Cone-Shaped Conducting Filaments and Its Logic-In-Memory Application.
ACS Appl Mater Interfaces
; 10(7): 6453-6462, 2018 Feb 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29388428
11.
Highly flexible resistive switching memory based on amorphous-nanocrystalline hafnium oxide films.
Nanoscale
; 9(21): 7037-7046, 2017 Jun 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28252131
12.
A 1D Vanadium Dioxide Nanochannel Constructed via Electric-Field-Induced Ion Transport and its Superior Metal-Insulator Transition.
Adv Mater
; 29(39)2017 Oct.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28833612
13.
Convertible resistive switching characteristics between memory switching and threshold switching in a single ferritin-based memristor.
Chem Commun (Camb)
; 52(26): 4828-31, 2016 Apr 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26967024
14.
Thermally-stable resistive switching with a large ON/OFF ratio achieved in poly(triphenylamine).
Chem Commun (Camb)
; 50(80): 11856-8, 2014 Oct 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25147878
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